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氧化锌将成为发明高性能LED的突破点

作者:ag环亚娱乐平台时间:2018-08-13 21:11浏览:

  氧化锌将成为发明高性能LED的突破点

  据国外媒体报道,德国科学家选用氢进行掺杂的办法制作出更高功能的LED和其他半导体。他们称,在运用氧化锌制作半导体时,合理操控氢原子将成为一个要害。半导体掺杂是激活半导体的必要条件,它将外来的原子掺进晶体里,而该原子能够开释(n型掺杂)或吸收一个电子(p型掺杂)。这样就在固体内部发明一个空穴。

  科学家已经在尽力将氢和p型掺杂结合,可是氢原子愈加简单进行n型掺杂,可是这会阻止半导体工艺。而P型掺杂才干制作LED和半导体。而氧化锌处处都是——每年全球的产值为数千吨。

 

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